工程名称： 创维半导体设计大厦幕墙工程

　　工程地点： 深圳市南山高新区南区[2007-003-0101]地块

　　工程类别： 企业总部

　　建筑高度： 110 m

　　幕墙面积： 47000 ㎡

　　主要幕墙类型：单元式玻璃幕墙、框架玻璃幕墙、裙楼‘喇叭口’及采光顶

　　创维半导体设计中心位于深圳高新南区高新南四道与科技南十路交接西北角，占地17025.5平方米，建筑面积851128平方米，项目总投资91076万元。项目内容涵盖：视频芯片的设计与验证、多媒体芯片的设计与验证、伴音功率放大器芯片的设计与验证、LED芯片设计、LED背光模组的设计及中试、OLED显示技术等。